365(英国)官方集团网站-Official website /en/products/infrared-detectors/ingaassb-photodiodes/nanoplus-ingaassb-photodiode.html Mon, 28 Sep 2015 03:54:08 +0000 /?post_type=portfolio&p=703 nanoplus 最新推出的InGaAsSb（锑砷化铟镓）光电二极管，以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料，相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内，峰值波长为1880nm，采用TO5封装，有效面积为Ø1mm，Ø2mm和Ø3mm，具有响应速度快、灵敏度高等特点，非常适合用于高灵敏度气体分析、过程控制和环境监测等领域。

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